CY7C1645KV18-450BZXI

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CY7C1645KV18-450BZXI概述

144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 144Mb 4M x 36 Parallel 450MHz 165-FBGA 15x17


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CY7C1645KV18-450BZXI


贸泽:
SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 4M x 36 QDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-bit 4M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 4M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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IC SRAM QDRII 144MBIT 165FBGA


CY7C1645KV18-450BZXI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 1290 mA

时钟频率 450 MHz

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买CY7C1645KV18-450BZXI
型号: CY7C1645KV18-450BZXI
描述:144 - Mbit的QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency
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