CV201210-R82K参数规格_中文资料_数据手册PDF

CV201210-R82K概述

铁氧体多层片式电感器 Ferrite Multi-Layer Chip Inductors

屏蔽多层器 1 欧姆最大 0805（2012 公制）

得捷:
FIXED IND 820NH 150MA 1 OHM SMD

立创商城:
820nH ±10% 1Ω

艾睿:
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 1Ohm DCR 0805 T/R

安富利:
Ind Chip Shielded Multi-Layer 820nH 10% 25MHz 25Q-Factor Ferrite 150mA 0805 T/R

CV201210-R82K中文资料参数规格

技术参数

额定电流 150 mA

电感 0.82 µH

Q值 25

电感公差 ±10 %

测试频率 25 MHz

电阻DC） 1 Ω

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 1 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.45 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CV201210-R82K

型号： CV201210-R82K

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：铁氧体多层片式电感器 Ferrite Multi-Layer Chip Inductors

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