CV201210-3R3K参数规格_中文资料_数据手册PDF

CV201210-3R3K概述

铁氧体多层片式电感器 Ferrite Multi-Layer Chip Inductors

3.3 µH 屏蔽多层器 30 mA 800 毫欧最大 0805（2012 公制）

立创商城:
3.3uH ±10% 800mΩ

得捷:
FIXED IND 3.3UH 30MA 800MOHM SMD

艾睿:
Inductor Chip Shielded Multi-Layer 3.3uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 800mOhm DCR 0805 T/R

安富利:
Ind Chip Shielded Multi-Layer 3.3uH 10% 10MHz 45Q-Factor Ferrite 30mA 0805 T/R

CV201210-3R3K中文资料参数规格

技术参数

额定电流 30 mA

容差 10 %

电感 3.3 µH

自谐频率 41 MHz

Q值 45

电感公差 ±10 %

测试频率 10 MHz

电阻DC） ≤800 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电阻DC Max 800 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1.45 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CV201210-3R3K引脚图与封装图

在线购买CV201210-3R3K

型号： CV201210-3R3K

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：铁氧体多层片式电感器 Ferrite Multi-Layer Chip Inductors

替代型号CV201210-3R3K

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CV201210-3R3K Bourns J.W. Miller 伯恩斯	当前型号	当前型号
PM0805G-3R3J 伯恩斯	类似代替	CV201210-3R3K和PM0805G-3R3J的区别
ILSB0805ER3R3K 威世达勒	功能相似	CV201210-3R3K和ILSB0805ER3R3K的区别
CTML0805-3R3K Central Semiconductor	功能相似	CV201210-3R3K和CTML0805-3R3K的区别