CW201212-3N3J

CW201212-3N3J图片1
CW201212-3N3J图片2
CW201212-3N3J概述

0805 3.3nH ±5% 600mA

3.3nH Unshielded Inductor 600mA 80mOhm


得捷:
FIXED IND 3.3NH 600MA 80MOHM SMD


艾睿:
Inductor Chip Wirewound 3.3nH 5% 250MHz 30Q-Factor Ceramic 600mA 80mOhm DCR 0805 T/R


安富利:
Ind Chip Wirewound 3.3nH 5% 250MHz 30Q-Factor Ceramic 600mA 0805 T/R


CW201212-3N3J中文资料参数规格
技术参数

额定电流 600 mA

电感 0.0033 µH

自谐频率 6.00 GHz

Q值 30

电感公差 ±5 %

测试频率 250 MHz

电阻DC) 80 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 0.08 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2.10 mm

宽度 1.50 mm

高度 1.4 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CW201212-3N3J
型号: CW201212-3N3J
制造商: Bourns J.W. Miller 伯恩斯
描述:0805 3.3nH ±5% 600mA
替代型号CW201212-3N3J
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CW201212-3N3J

Bourns J.W. Miller 伯恩斯

当前型号

当前型号

0805-3N3J

API Delevan

功能相似

CW201212-3N3J和0805-3N3J的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台