CW252016-R82G参数规格_中文资料_数据手册PDF

CW252016-R82G概述

1008 820nH ±2% 360mA

820 nH 无屏蔽绕线器 360 mA 2.3 欧姆最大 1008（2520 公制）

立创商城:
820nH ±2% 2.3Ω

得捷:
FIXED IND 820NH 360MA 2.3OHM SMD

艾睿:
Inductor Chip Wirewound 820nH 2% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 360mA 2.3Ohm DCR 1008 T/R

Chip1Stop:
Inductor Chip Wirewound 820nH 2% 25MHz 45Q-Factor Ceramic 360mA 2.3Ohm DCR 1008 T/R

CW252016-R82G中文资料参数规格

技术参数

额定电流 360 mA

电感 820 nH

自谐频率 350 MHz

Q值 45

屏蔽 No

电感公差 ±2 %

测试频率 25 MHz

电阻DC） 2.3 Ω

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电阻DC Max 2.3 Ω

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2520

封装 1008

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 2.2 mm

高度 1.8 mm

封装公制 2520

封装 1008

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CW252016-R82G

型号： CW252016-R82G

制造商： Bourns J.W. Miller 伯恩斯

描述：1008 820nH ±2% 360mA

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