CDZCT2RA6.8B参数规格_中文资料_数据手册PDF

CDZCT2RA6.8B概述

ESD 保护双向齐纳二极管，ROHM高可靠性 ### 瞬态电压抑制器，ROHM

ESD 保护双向齐纳，ROHM

高可靠性

### 瞬态电压抑制器，

得捷:
DIODE ZENER 6.8V 100MW VMN2

欧时:
ROHM CDZCT2RA6.8B 单路齐纳二极管, 6.8V 100 mW, 2引脚 VMN封装

Chip1Stop:
Diode Zener Single 6.79V 2% 100mW 2-Pin VMN T/R

CDZCT2RA6.8B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

击穿电压 6.65 V

通道数 1

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 6.8 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SMD-2

外形尺寸

长度 0.9 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.37 mm

封装 SMD-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CDZCT2RA6.8B引脚图与封装图

在线购买CDZCT2RA6.8B

型号： CDZCT2RA6.8B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ESD 保护双向齐纳二极管，ROHM 高可靠性 ### 瞬态电压抑制器，ROHM