CZRT55C18-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

CZRT55C18-G概述

稳压二极管 0.41W, VR=18V

Zener Diode 18V 350mW ±6% Surface Mount SOT-23-3

得捷:
DIODE ZENER 18V 350MW SOT23-3

贸泽:
稳压二极管 0.41W, VR=18V

艾睿:
Diode Zener Single 18V 5% 410mW 3-Pin SOT-23 T/R

Verical:
Zener Diode Single 18V 5% 50Ohm 410mW 3-Pin SOT-23 T/R

CZRT55C18-G中文资料参数规格

技术参数

容差 ±6 %

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 0.41 W

测试电流 5 mA

稳压值 18 V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.05 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CZRT55C18-G

型号： CZRT55C18-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：稳压二极管 0.41W, VR=18V

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替代型号CZRT55C18-G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CZRT55C18-G Comchip Technology 上华科技	当前型号	当前型号
BZX84C18-7-F 美台	功能相似	CZRT55C18-G和BZX84C18-7-F的区别

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CZRT55C18-G

Comchip Technology 上华科技

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BZX84C18-7-F

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CZRT55C18-G和BZX84C18-7-F的区别