CDZT2R4.3B概述
VMN 4.3V 0.1W1/10W
- 齐纳 ±3% 表面贴装型 VMN2
得捷:
DIODE ZENER 4.3V 100MW VMN2
贸泽:
Zener Diodes 100MW 4.3V VMN2
艾睿:
Diode Zener Single 4.3V 3% 100mW 2-Pin VMN T/R
Win Source:
DIODE ZENER 4.3V 100MW VMN2
CDZT2R4.3B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 4.30 V
容差 ±3 %
额定功率 100 mW
耗散功率 100 mW
测试电流 5 mA
稳压值 4.3 V
额定功率Max 100 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 VMN-2
外形尺寸
长度 0.9 mm
宽度 0.57 mm
高度 0.37 mm
封装 VMN-2
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买CDZT2R4.3B
替代型号CDZT2R4.3B
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CDZT2R4.3B ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
VDZT2R4.3B 罗姆半导体 | 类似代替 | CDZT2R4.3B和VDZT2R4.3B的区别 |