CDZT2R4.7B

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CDZT2R4.7B概述

VMN 4.65V 0.1W1/10W

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 VMN2


得捷:
DIODE ZENER 4.7V 100MW VMN2


CDZT2R4.7B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.70 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 100 mW

稳压值 4.65 V

额定功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VMN-2

外形尺寸

长度 0.9 mm

宽度 0.57 mm

高度 0.37 mm

封装 VMN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CDZT2R4.7B
型号: CDZT2R4.7B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMN 4.65V 0.1W1/10W
替代型号CDZT2R4.7B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CDZT2R4.7B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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VDZT2R4.7B

罗姆半导体

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