CDZT2R9.1B

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CDZT2R9.1B概述

VMN 9.04V 0.1W1/10W

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 VMN2


得捷:
DIODE ZENER 9.1V 100MW VMN2


艾睿:
Diode Zener Single 9.04V 2% 100mW 2-Pin VMN T/R


安富利:
Diode Zener Single 9.04V 2% 100mW 2-Pin VMN T/R


Chip1Stop:
Diode Zener Single 9.04V 2% 100mW 2-Pin VMN T/R


Verical:
Zener Diode Single 9.04V 2% 30Ohm 100mW 2-Pin VMN T/R


CDZT2R9.1B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 9.10 V

容差 ±2 %

额定功率 100 mW

耗散功率 0.1 W

测试电流 5 mA

稳压值 9.04 V

额定功率Max 100 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 VMN-2

外形尺寸

长度 0.9 mm

宽度 0.57 mm

高度 0.37 mm

封装 VMN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买CDZT2R9.1B
型号: CDZT2R9.1B
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:VMN 9.04V 0.1W1/10W
替代型号CDZT2R9.1B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CDZT2R9.1B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

VDZT2R9.1B

罗姆半导体

功能相似

CDZT2R9.1B和VDZT2R9.1B的区别

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