CDZT2R6.8B参数规格_中文资料_数据手册PDF

CDZT2R6.8B概述

VMN 6.79V 0.1W1/10W

- 齐纳 ±2% 表面贴装型 VMN2

得捷:
DIODE ZENER 6.8V 100MW VMN2

安富利:
Diode Zener Single 6.79V 2% 100mW 2-Pin VMN T/R

Win Source:
DIODE ZENER 6.8V 100MW VMN2

CDZT2R6.8B中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

耗散功率 100 mW

测试电流 5 mA

稳压值 6.79 V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 VMN-2

外形尺寸

封装 VMN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CDZT2R6.8B

型号： CDZT2R6.8B

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：VMN 6.79V 0.1W1/10W

替代型号CDZT2R6.8B

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CDZT2R6.8B ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
VDZT2R6.8B 罗姆半导体	功能相似	CDZT2R6.8B和VDZT2R6.8B的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

CDZT2R6.8B

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

VDZT2R6.8B

罗姆半导体

功能相似