频率 300 MHz
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CMPT3904G TR Central Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
CMPT3904E TR Central Semiconductor | 类似代替 | CMPT3904G TR和CMPT3904E TR的区别 |
MMBT3904 意法半导体 | 类似代替 | CMPT3904G TR和MMBT3904的区别 |
MMBT3904-7-F 美台 | 功能相似 | CMPT3904G TR和MMBT3904-7-F的区别 |