CMPT5087 TR

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CMPT5087 TR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 250 @100µA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: CMPT5087 TR
制造商: Central Semiconductor
描述:CMPT 系列 50 V 50 mA PNP 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23

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