CMLT5087E TR

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CMLT5087E TR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 350 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 300 @100µA, 5V

最大电流放大倍数hFE 900

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563-6

外形尺寸

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CMLT5087E TR
型号: CMLT5087E TR
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans 2pnp 50V 0.1A Sot-563

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