CMLT5088EM TR

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CMLT5088EM TR中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 5V

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: CMLT5088EM TR
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 6Pin SOT-563 T/R

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