CMLT3906E TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

CMLT3906E TR概述

Trans Pnp 60V 0.2A Sot563

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 40V 200mA 300MHz 150mW Surface Mount SOT-563

得捷:
TRANS PNP 60V 0.2A SOT563

Win Source:
TRANS PNP 60V 0.2A SOT563

CMLT3906E TR中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 40 V

最小电流放大倍数hFE 150 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CMLT3906E TR

型号： CMLT3906E TR

制造商： Central Semiconductor

描述：Trans Pnp 60V 0.2A Sot563

替代型号CMLT3906E TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CMLT3906E TR Central Semiconductor	当前型号	当前型号
CMLT3906EG TR Central Semiconductor	完全替代	CMLT3906E TR和CMLT3906EG TR的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

CMLT3906E TR

Central Semiconductor

当前型号

CMLT3906EG TR

Central Semiconductor

完全替代