CMKT5089M10 TR

CMKT5089M10 TR图片1
CMKT5089M10 TR中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 25 V

最小电流放大倍数hFE 400 @100µA, 5V

额定功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CMKT5089M10 TR
型号: CMKT5089M10 TR
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans 2npn 25V 0.05A Sot363

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