CY7C1370D-200BGXC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1370D-200BGXC概述

18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 200MHz 3ns 119-PBGA 14x22

立创商城:
CY7C1370D-200BGXC

贸泽:
静态随机存取存储器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 静态随机存取存储器

艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3ns 119-Pin BGA

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 119-Pin BGA

罗切斯特:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-bit 512K x 36 3ns 119-Pin BGA

CY7C1370D-200BGXC中文资料参数规格

技术参数

存取时间 3 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 119

封装 BGA-119

外形尺寸

高度 1.46 mm

封装 BGA-119

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1370D-200BGXC

型号： CY7C1370D-200BGXC

描述：18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

替代型号CY7C1370D-200BGXC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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