CY7C1415AV18-250BZC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1415AV18-250BZC概述

36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17

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CY7C1415AV18-250BZC

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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CY7C1415AV18-250BZC中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1415AV18-250BZC

型号： CY7C1415AV18-250BZC

描述：36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1415AV18-250BZC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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