CY7C2563KV18-500BZC

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CY7C2563KV18-500BZC概述

72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 72Mb(4M x 18) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C2563KV18-500BZC


贸泽:
SRAM 72MB QDR SRAM 4-Word


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C2563KV18-500BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 1 ms

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C2563KV18-500BZC
型号: CY7C2563KV18-500BZC
描述:72 - Mbit的QDR -II SRAM + 4字突发架构 72-Mbit QDR-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture
替代型号CY7C2563KV18-500BZC
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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