CY62167EV18LL-55BAXI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY62167EV18LL-55BAXI概述

16百万位元（ 1M ×16 ）静态RAM 16 Mbit 1M x 16 Static RAM

SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 55ns 48-VFBGA 8x9.5

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CY62167EV18LL-55BAXI

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静态随机存取存储器 16Mbit 静态随机存取存储器 55ns 1.8V CMOS

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SRAM Chip Async Single 1.8V 16M-Bit 1M x 16 55ns 48-Pin VFBGA

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CY62167EV18LL-55BAXI中文资料参数规格

技术参数

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 2.25V

封装参数

封装 VFBGA-48

外形尺寸

封装 VFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买CY62167EV18LL-55BAXI

型号： CY62167EV18LL-55BAXI

描述：16百万位元（ 1M ×16 ）静态RAM 16 Mbit 1M x 16 Static RAM

替代型号CY62167EV18LL-55BAXI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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