CY7C1420JV18-300BZXC

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CY7C1420JV18-300BZXC概述

36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 165-FBGA(15x17)


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CY7C1420JV18-300BZXC


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


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SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1420JV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C1420JV18-300BZXC
型号: CY7C1420JV18-300BZXC
描述:36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

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