CY7C1370DV25-167BZI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1370DV25-167BZI概述

18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 167MHz 3.4ns 165-FBGA 13x15

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 2.5V 18M-bit 512K x 36 3.4ns 165-Pin FBGA Tray

CY7C1370DV25-167BZI中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间Max 3.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.375V ~ 2.625V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1370DV25-167BZI

型号： CY7C1370DV25-167BZI

描述：18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture

替代型号CY7C1370DV25-167BZI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1370DV25-167BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1370DV25-167BZC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1370DV25-167BZI和CY7C1370DV25-167BZC的区别
CY7C1370DV25-200BZI 赛普拉斯	功能相似	CY7C1370DV25-167BZI和CY7C1370DV25-200BZI的区别
CY7C1370CV25-167BZC 赛普拉斯	功能相似	CY7C1370DV25-167BZI和CY7C1370CV25-167BZC的区别