9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 512K x 18 Parallel 200MHz 3.2ns 100-TQFP 14x20
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CY7C1356CV25-200AXC
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SRAM 512Kx18 3.3V NoBL Sync FT SRAM COM
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电源电压DC 2.50 V, 2.63 V max
供电电流 220 mA
时钟频率 200MHz max
位数 18
存取时间 3.2 ns
内存容量 9000000 B
存取时间Max 3.2 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 2.375V ~ 2.625V
电源电压Max 2.625 V
电源电压Min 2.375 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 100
封装 TQFP-100
高度 1.4 mm
封装 TQFP-100
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CY7C1356CV25-200AXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
IS61NLP51218A-200TQLI Integrated Silicon SolutionISSI | 功能相似 | CY7C1356CV25-200AXC和IS61NLP51218A-200TQLI的区别 |