CY7C1357C-133AXI

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CY7C1357C-133AXI概述

9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 512K x 18 Parallel 133MHz 6.5ns 100-TQFP 14x20


立创商城:
CY7C1357C-133AXI


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 6.5ns 100-Pin TQFP Tray


Win Source:
IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP / 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Flow-Through SRAM with NoBL™ Architecture


CY7C1357C-133AXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 133MHz max

位数 18

存取时间 133 µs

内存容量 9000000 B

存取时间Max 6.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

高度 1.4 mm

封装 TQFP-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1357C-133AXI
型号: CY7C1357C-133AXI
描述:9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流通型SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit 256K x 36/512K x 18 Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
替代型号CY7C1357C-133AXI
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