CY7C1393CV18-250BZXC

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CY7C1393CV18-250BZXC概述

18兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,DDR II 存储器 IC 18Mb(1M x 18) 并联 250 MHz 165-FBGA(13x15)


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 1Mx18 1.8V DDRII SIO 2-Word Burst


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1393CV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C1393CV18-250BZXC
型号: CY7C1393CV18-250BZXC
描述:18兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

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