CY7C1512V18-200BZI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1512V18-200BZI概述

72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 72Mb（4M x 18）并联 200 MHz 165-FBGA（15x17）

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CY7C1512V18-200BZI

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静态随机存取存储器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 静态随机存取存储器 IND

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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

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CY7C1512V18-200BZI中文资料参数规格

技术参数

位数 18

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1512V18-200BZI

型号： CY7C1512V18-200BZI

描述：72 - Mbit的QDR -II SRAM ™ 2字突发架构 72-Mbit QDR-II⑩ SRAM 2-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1512V18-200BZI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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