CY7C1314JV18-250BZXC

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CY7C1314JV18-250BZXC概述

18 Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18 Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(512K x 36) 并联 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C1314JV18-250BZXC


贸泽:
静态随机存取存储器 512Kx36 1.8V QDR II 2-Word Burst


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA


CY7C1314JV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1314JV18-250BZXC
型号: CY7C1314JV18-250BZXC
描述:18 Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 18 Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

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