CY7C13121KV18-300BZXC

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CY7C13121KV18-300BZXC概述

18 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - 同步,QDR II 存储器 IC 18Mb(1M x 18) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C13121KV18-300BZXC


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


Win Source:
18-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture


CY7C13121KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C13121KV18-300BZXC
型号: CY7C13121KV18-300BZXC
描述:18 - Mbit的QDR ? II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture

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