36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture
SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17
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CY7C1413AV18-250BZXC
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SRAM 2Mx18 QDR II Burst 4 SRAM COM
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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray
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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA
电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max
时钟频率 250MHz max
位数 18
存取时间 250 µs
内存容量 36000000 B
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CY7C1413AV18-250BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
CY7C1413AV18-250BZC 赛普拉斯 | 完全替代 | CY7C1413AV18-250BZXC和CY7C1413AV18-250BZC的区别 |
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