CY7C1565V18-400BZC

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CY7C1565V18-400BZC概述

72兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb 2M x 36 Parallel 400MHz 165-FBGA 15x17


贸泽:
SRAM 72M Q2+ B4 2.5


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 2M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


Win Source:
72-Mbit QDR™-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency


CY7C1565V18-400BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1565V18-400BZC
型号: CY7C1565V18-400BZC
描述:72兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

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