CY7C1021BN-12VXC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1021BN-12VXC概述

1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM

SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 12ns 44-SOJ

艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 64K x 16 12ns 44-Pin SOJ

Win Source:
1-Mbit 64K x 16 Static RAM

CY7C1021BN-12VXC中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

时钟频率 12.0 GHz

位数 16

存取时间 12.0 ns

内存容量 1000000 B

存取时间Max 12 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 BSOJ-44

外形尺寸

封装 BSOJ-44

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1021BN-12VXC

型号： CY7C1021BN-12VXC

描述：1兆位（ 64K ×16 ）静态RAM 1-Mbit 64K x 16 Static RAM

替代型号CY7C1021BN-12VXC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1021BN-12VXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1021B-12VC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1021BN-12VXC和CY7C1021B-12VC的区别
CY7C1021D-10VXI 赛普拉斯	类似代替	CY7C1021BN-12VXC和CY7C1021D-10VXI的区别
71016S12Y 艾迪悌	类似代替	CY7C1021BN-12VXC和71016S12Y的区别