CY7C1415BV18-250BZC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1415BV18-250BZC概述

36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17

立创商城:
CY7C1415BV18-250BZC

得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

贸泽:
SRAM 1Mx36 QDR II Burst 4 SRAM

艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA

CY7C1415BV18-250BZC中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1415BV18-250BZC

型号： CY7C1415BV18-250BZC

描述：36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1415BV18-250BZC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1415BV18-250BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1415KV18-250BZXC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1415BV18-250BZC和CY7C1415KV18-250BZXC的区别
CY7C1415KV18-250BZC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1415BV18-250BZC和CY7C1415KV18-250BZC的区别
CY7C1415AV18-250BZC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1415BV18-250BZC和CY7C1415AV18-250BZC的区别