CY7C12451KV18-400BZXC

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CY7C12451KV18-400BZXC概述

36 - Mbit的QDR ? II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C12451KV18-400BZXC


贸泽:
SRAM 1M X 36 400MHz QDR II+ SRAM


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
36-Mbit QDR II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency


CY7C12451KV18-400BZXC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 50 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C12451KV18-400BZXC
型号: CY7C12451KV18-400BZXC
描述:36 - Mbit的QDR ? II + SRAM 4字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit QDR? II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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