CY7C1412BV18-200BZC

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CY7C1412BV18-200BZC概述

36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 200MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1412BV18-200BZC


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture


CY7C1412BV18-200BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C1412BV18-200BZC
型号: CY7C1412BV18-200BZC
描述:36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1412BV18-200BZC
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CY7C1412BV18-200BZC

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CY7C1412BV18-200BZC和CY7C1412BV18-200BZXC的区别

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