CY7C11481KV18-400BZC

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CY7C11481KV18-400BZC概述

18兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 400MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C11481KV18-400BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
18-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency


CY7C11481KV18-400BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买CY7C11481KV18-400BZC
型号: CY7C11481KV18-400BZC
描述:18兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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