CY7C12501KV18-400BZC

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CY7C12501KV18-400BZC概述

36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 36Mb(1M x 36) 并联 400 MHz 165-FBGA(13x15)


立创商城:
CY7C12501KV18-400BZC


贸泽:
静态随机存取存储器 1Mb x 36 400 MHz Sync 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Win Source:
36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency


CY7C12501KV18-400BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CY7C12501KV18-400BZC
型号: CY7C12501KV18-400BZC
描述:36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency
替代型号CY7C12501KV18-400BZC
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CY7C12501KV18-400BZC和CY7C12501KV18-400BZXC的区别

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