CY7C1041BV33-20ZI

CY7C1041BV33-20ZI概述

256K ×16静态RAM 256K x 16 Static RAM

The CY7C1041BV33 is a high-performance CMOS Static RAM organized as 262,144 words by 16 bits.

Features

• High speed

—tAA= 12 ns

• Low active power

— 612 mW max.

• Low CMOS standby power Commercial L version

— 1.8 mW max.

• 2.0V Data Retention 600 µW at 2.0V retention

• Automatic power-down when deselected

• TTL-compatible inputs and outputs


立创商城:
CY7C1041BV33-20ZI


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 20ns 44-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 20ns 44-Pin TSOP-II


CY7C1041BV33-20ZI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 170 mA

存取时间Max 20 ns

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1041BV33-20ZI
型号: CY7C1041BV33-20ZI
制造商: Cypress Semiconductor 赛普拉斯
描述:256K ×16静态RAM 256K x 16 Static RAM
替代型号CY7C1041BV33-20ZI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CY7C1041BV33-20ZI

Cypress Semiconductor 赛普拉斯

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