CY7C1314BV18-250BZXC参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1314BV18-250BZXC概述

18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

SRAM - 同步，QDR II 存储器 IC 18Mb（512K x 36）并联 250 MHz 165-FBGA（13x15）

立创商城:
CY7C1314BV18-250BZXC

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

贸泽:
SRAM 512Kx36 1.8V QDR II SRAM

艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

Win Source:
18-Mbit QDR-II SRAM 2 Word Burst Architecture

CY7C1314BV18-250BZXC中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1314BV18-250BZXC

型号： CY7C1314BV18-250BZXC

描述：18兆位QDR⑩ - II SRAM的2字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 2 Word Burst Architecture

替代型号CY7C1314BV18-250BZXC

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1314BV18-250BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1314BV18-250BZC 赛普拉斯	完全替代	CY7C1314BV18-250BZXC和CY7C1314BV18-250BZC的区别
CY7C1314BV18-167BZI 赛普拉斯	完全替代	CY7C1314BV18-250BZXC和CY7C1314BV18-167BZI的区别
CY7C1314BV18-167BZC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1314BV18-250BZXC和CY7C1314BV18-167BZC的区别