CY7C1313KV18-250BZI参数规格_中文资料_数据手册PDF

CY7C1313KV18-250BZI概述

18兆位QDRÂ® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 13x15

立创商城:
CY7C1313KV18-250BZI

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

DeviceMart:
IC SRAM QDR-II 18MBIT 165FBGA

CY7C1313KV18-250BZI中文资料参数规格

技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

CY7C1313KV18-250BZI引脚图与封装图

在线购买CY7C1313KV18-250BZI

型号： CY7C1313KV18-250BZI

描述：18兆位QDRÂ® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Architecture

替代型号CY7C1313KV18-250BZI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CY7C1313KV18-250BZI Cypress Semiconductor 赛普拉斯	当前型号	当前型号
CY7C1313KV18-250BZC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1313KV18-250BZI和CY7C1313KV18-250BZC的区别
CY7C1313KV18-250BZXI 赛普拉斯	类似代替	CY7C1313KV18-250BZI和CY7C1313KV18-250BZXI的区别
CY7C1313KV18-250BZXC 赛普拉斯	类似代替	CY7C1313KV18-250BZI和CY7C1313KV18-250BZXC的区别