CY7C11681KV18-400BZC

18兆位的DDR II + SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 18-Mbit DDR II+ SRAM Two-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步，DDR II+ 存储器 IC 18Mb（1M x 18） 并联 400 MHz 165-FBGA（13x15）

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CY7C11681KV18-400BZC

得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

贸泽:
SRAM 1Mb x 18 400 MHz Sync SRAM

艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA

Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 18M-bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA