CY7C1143KV18-400BZC

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CY7C1143KV18-400BZC概述

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II+ Memory IC 18Mb 1M x 18 Parallel 400MHz 165-FBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 18MB 1Mx18 1.8v 400MHz DDR II 静态随机存取存储器


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 1M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


DeviceMart:
IC SRAM 1MX18 1.8V SYNC 165-FBGA


CY7C1143KV18-400BZC中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C1143KV18-400BZC
型号: CY7C1143KV18-400BZC
描述:18兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.0周期读延迟) 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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