CY7C1414JV18-250BZXC

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CY7C1414JV18-250BZXC概述

36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 1M x 36 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 1M x 36 0.45ns 165-Pin FBGA


Win Source:
IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA


CY7C1414JV18-250BZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-165

外形尺寸

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1414JV18-250BZXC
型号: CY7C1414JV18-250BZXC
描述:36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
替代型号CY7C1414JV18-250BZXC
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