CY7C1263V18-375BZXC

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CY7C1263V18-375BZXC概述

36兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 36Mb 4M x 8 Parallel 375MHz 165-FBGA 15x17


得捷:
IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C1263V18-375BZXC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CY7C1263V18-375BZXC
型号: CY7C1263V18-375BZXC
描述:36兆位QDR⑩ -II + SRAM 4字突发架构( 2.5周期读延迟) 36-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

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