CY7C15632KV18-500BZC

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CY7C15632KV18-500BZC概述

72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,QDR II+ 存储器 IC 72Mb(4M x 18) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C15632KV18-500BZC


得捷:
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA


贸泽:
SRAM 72MB QDR SRAM 4-Word


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C15632KV18-500BZC中文资料参数规格
技术参数

存取时间 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C15632KV18-500BZC
型号: CY7C15632KV18-500BZC
描述:72兆位QDR® II SRAM四字突发架构( 2.5周期读延迟) 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 2.5 Cycle Read Latency
替代型号CY7C15632KV18-500BZC
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