CY7C12481KV18-400BZC

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CY7C12481KV18-400BZC概述

36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

SRAM - 同步,DDR II+ 存储器 IC 36Mb(2M x 18) 并联 165-FBGA(13x15)


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CY7C12481KV18-400BZC


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA


CY7C12481KV18-400BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买CY7C12481KV18-400BZC
型号: CY7C12481KV18-400BZC
描述:36兆位的DDR II + SRAM 2字突发架构( 2.0周期读延迟) 36-Mbit DDR II+ SRAM 2-Word Burst Architecture 2.0 Cycle Read Latency

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