CXDM4060N TR

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CXDM4060N TR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 45 mΩ

耗散功率 1.2 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

输入电容Ciss 730pF @20VVds

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: CXDM4060N TR
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH Si 40V 6A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

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