CYDM064B08-55BVXI

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CYDM064B08-55BVXI概述

静态随机存取存储器 64K 8Kx8 MoBL Dual Port IND

SRAM - 双端口,MoBL 存储器 IC 64Kb(8K x 8) 并联 55 ns 100-VFBGA(6x6)


立创商城:
CYDM064B08-55BVXI


得捷:
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 64K 8Kx8 MoBL Dual Port IND


艾睿:
SRAM CHIP ASYNC DUAL 1.8V 64K-BIT 4K X 16 40NS 100-PIN VFBGA


罗切斯特:
SRAM CHIP ASYNC DUAL 1.8V 64K-BIT 4K X 16 40NS 100-PIN VFBGA


CYDM064B08-55BVXI中文资料参数规格
技术参数

存取时间 55 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

封装 VFBGA-100

外形尺寸

封装 VFBGA-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CYDM064B08-55BVXI
型号: CYDM064B08-55BVXI
描述:静态随机存取存储器 64K 8Kx8 MoBL Dual Port IND

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