CWDM3011N TR13

CWDM3011N TR13图片1
CWDM3011N TR13图片2
CWDM3011N TR13中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5W Ta

输入电容Ciss 860pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CWDM3011N TR13
型号: CWDM3011N TR13
制造商: Central Semiconductor
描述:Mosfet n-Ch 30V 11A 8soic

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