CXDM1002N TR

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CXDM1002N TR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 140 mΩ

耗散功率 1.2 W

阈值电压 1.5 V

漏源击穿电压 100 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 2.7 mm

高度 1.7 mm

封装 SOT-89-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: CXDM1002N TR
制造商: Central Semiconductor
描述:Trans MOSFET N-CH Si 100V 2A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

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